SANTA CLARA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--TSMC (TWSE: 2330, NYSE: TSM) today showcased the newest innovations in its advanced logic, specialty, and 3D IC technologies at the Company’s 2022 North America Technology Symposium, with the next-generation leading-edge N2 process powered by nanosheet transistors and the unique FinFlex™ technology for the N3 and N3E processes making their debut.
Resuming as an in-person event after being held online in the past two years, the North America symposium in Santa Clara, California, kicks off a series of Technology Symposiums around the world in the coming months. The Symposiums also feature an Innovation Zone that spotlights the achievements of TSMC’s emerging start-up customers.
“We are living in a rapidly changing, supercharged, digital world where demand for computational power and energy efficiency is growing faster than ever before, creating unprecedented opportunities and challenges for the semiconductor industry,” said Dr. C.C. Wei, CEO of TSMC. “The innovations we will showcase at our Technology Symposiums demonstrate TSMC’s technology leadership and our commitment to support our customers through this exciting period of transformation and growth.”
Major technologies highlighted at the Symposium include:
TSMC FinFlex™ for N3 and N3E - TSMC’s industry-leading N3 technology, set to enter volume production later in 2022, will feature the revolutionary TSMC FinFlex™ architectural innovation offering unparalleled flexibility for designers. The TSMC FinFlex™ innovation offers choices of different standard cells with a 3-2 fin configuration for ultra performance, a 2-1 fin configuration for best power efficiency and transistor density, and a 2-2 fin configuration providing a balance between the two for Efficient Performance. With TSMC FinFlex™ architecture, customers can create system-on-chip designs precisely tuned for their needs with functional blocks implementing the best optimized fin configuration for the desired performance, power and area target, and integrated on the same chip. For more information on FinFlex, please visit N3.TSMC.COM.
N2 Technology - TSMC’s N2 technology represents another remarkable advancement over N3, with 10-15% speed improvement at the same power, or 25-30% power reduction at the same speed, ushering in a new era of Efficient Performance. N2 will feature nanosheet transistor architecture to deliver a full-node improvement in performance and power efficiency to enable next-generation product innovations from TSMC customers. The N2 technology platform includes a high-performance variant in addition to the mobile compute baseline version, as well as comprehensive chiplet integration solutions. N2 is scheduled to begin production in 2025.
Expanding Ultra -Low Power Platform - Building on the success of the N12e technology announced at the 2020 Technology Symposium, TSMC is developing N6e, the next evolution in process technology tuned to provide the computing power and energy efficiency required by edge AI and IoT devices. N6e will be based on TSMC’s advanced 7nm process and is expected to have three times greater logic density than N12e. It will serve as a part of TSMC’s Ultra-Low Power platform, a comprehensive portfolio of logic, RF, analog, embedded nonvolatile memory, and power management IC solutions aimed at applications in edge AI and the Internet of Things.
TSMC 3DFabric™ 3D Silicon Stacking Solutions - TSMC is showcasing two groundbreaking customer applications of the TSMC-SoIC™ chip stacking solution:
With N7 chips already in production for both CoW and WoW, support for N5 technology is scheduled for 2023. To meet customer demand for SoIC and other TSMC 3DFabric™ system integration services, the world’s first fully automated 3DFabric factory is set to begin production in the second half of 2022.
TSMC pioneered the pure-play foundry business model when it was founded in 1987, and has been the world’s leading dedicated semiconductor foundry ever since. The Company supports a thriving ecosystem of global customers and partners with the industry’s leading process technologies and portfolio of design enablement solutions to unleash innovation for the global semiconductor industry. With global operations spanning Asia, Europe, and North America, TSMC serves as a committed corporate citizen around the world.
TSMC deployed 291 distinct process technologies, and manufactured 12,302 products for 535 customers in 2021 by providing broadest range of advanced, specialty and advanced packaging technology services. TSMC is the first foundry to provide 5-nanometer production capabilities, the most advanced semiconductor process technology available in the world. The Company is headquartered in Hsinchu, Taiwan. For more information please visit https://www.tsmc.com.
САНТА-КЛАРА, Калифорния.--(BUSINESS WIRE)--TSMC (TWSE: 2330, NYSE: TSM) сегодня продемонстрировала новейшие инновации в своих передовых логических, специализированных и 3D-IC-технологиях на Североамериканском технологическом симпозиуме Компании 2022 года с передовым технологическим процессом N2 следующего поколения на базе nanosheet дебютируют транзисторы и уникальная технология FinFlex™ для процессов N3 и N3E.
Североамериканский симпозиум в Санта-Кларе, штат Калифорния, возобновившийся в качестве очного мероприятия после проведения онлайн в течение последних двух лет, в ближайшие месяцы открывает серию технологических симпозиумов по всему миру. На симпозиумах также есть Инновационная зона, которая освещает достижения начинающих клиентов TSMC.
“Мы живем в быстро меняющемся, перегруженном цифровом мире, где спрос на вычислительную мощность и энергоэффективность растет быстрее, чем когда-либо прежде, создавая беспрецедентные возможности и проблемы для полупроводниковой промышленности”, - сказал доктор Си Си Вей, генеральный директор TSMC. “Инновации, которые мы продемонстрируем на наших технологических симпозиумах, демонстрируют технологическое лидерство TSMC и нашу приверженность поддержке наших клиентов в этот захватывающий период преобразований и роста”.
Основные технологии, освещенные на симпозиуме, включают:
TSMC FinFlex™ для N3 и N3E - ведущая в отрасли технология N3 от TSMC, которая будет запущена в серийное производство позднее в 2022 году, будет включать революционную архитектурную инновацию TSMC FinFlex™, обеспечивающую непревзойденную гибкость для дизайнеров. Инновация TSMC FinFlex™ предлагает на выбор различные стандартные ячейки с конфигурацией ребер 3-2 для максимальной производительности, конфигурацией ребер 2-1 для лучшей энергоэффективности и плотности транзисторов и конфигурацией ребер 2-2, обеспечивающей баланс между ними для эффективной работы. Благодаря архитектуре TSMC FinFlex™ заказчики могут создавать проекты "система на кристалле", точно настроенные для их нужд, с функциональными блоками, реализующими наилучшую оптимизированную конфигурацию ребер для желаемой производительности, мощности и площади, и интегрированными на одном чипе. Для получения дополнительной информации о FinFlex, пожалуйста, посетите N3.TSMC.COM .
Технология N2 - технология N2 от TSMC представляет собой еще одно замечательное усовершенствование по сравнению с N3, с улучшением скорости на 10-15% при той же мощности или снижением мощности на 25-30% при той же скорости, открывая новую эру эффективной производительности. В N2 будет реализована архитектура транзисторов nanosheet, обеспечивающая повышение производительности и энергоэффективности на весь узел, что позволит клиентам TSMC внедрять инновации в продукты следующего поколения. Технологическая платформа N2 включает в себя высокопроизводительный вариант в дополнение к базовой версии для мобильных вычислений, а также комплексные решения для интеграции чиплетов. Производство N2 планируется начать в 2025 году.
Расширение платформы со сверхнизким энергопотреблением - Опираясь на успех технологии N12e, анонсированной на Технологическом симпозиуме 2020 года, TSMC разрабатывает N6e, следующую эволюцию в технологическом процессе, настроенную для обеспечения вычислительной мощности и энергоэффективности, требуемых передовыми устройствами искусственного интеллекта и Интернета вещей. N6e будет основан на усовершенствованном 7-нм техпроцессе TSMC и, как ожидается, будет иметь в три раза большую логическую плотность, чем N12e. Он будет служить частью платформы TSMC со сверхнизким энергопотреблением, комплексного портфеля решений для логики, радиочастотной, аналоговой, встроенной энергонезависимой памяти и управления питанием, предназначенных для приложений в области искусственного интеллекта и Интернета вещей.
Решения для 3D-укладки кремния TSMC 3DFabric™ - TSMC демонстрирует два новаторских решения для укладки микросхем TSMC-SoIC™.:
Поскольку чипы N7 уже находятся в производстве как для CoW, так и для WoW, поддержка технологии N5 запланирована на 2023 год. Чтобы удовлетворить спрос клиентов на SoIC и другие услуги системной интеграции TSMC 3DFabric™, первая в мире полностью автоматизированная фабрика 3DFabric должна начать производство во второй половине 2022 года.
Компания TSMC стала пионером бизнес-модели pure-play foundry, когда была основана в 1987 году, и с тех пор является ведущим в мире специализированным литейным производством полупроводников. Компания поддерживает процветающую экосистему глобальных клиентов и партнеров с помощью ведущих в отрасли технологических процессов и портфолио конструкторских решений, способствующих внедрению инноваций в мировую полупроводниковую промышленность. Благодаря глобальным операциям, охватывающим Азию, Европу и Северную Америку, TSMC выступает в качестве преданного корпоративного гражданина по всему миру.
TSMC внедрила 291 отдельную технологическую технологию и произвела 12 302 продукта для 535 клиентов в 2021 году, предоставив широчайший спектр передовых, специализированных и передовых услуг в области технологий упаковки. TSMC - это первое литейное производство, обеспечивающее 5-нанометровые производственные возможности, самую передовую технологию производства полупроводников, доступную в мире. Штаб-квартира компании находится в Синьчжу, Тайвань. Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите https://www .TSMC.com .
Показать большеПоказать меньше